晶片作為智慧手機的最強大腦，有著舉足輕重的作用。

當下，最先進的三大晶片為蘋果A14、華為麒麟9000和高通驍龍888。

這三款晶片均採用當下最先進的5nm工藝製程。

不同之處在於，高通用的是三星工藝，而蘋果和華為用的是臺積電工藝。

不過，這三款晶片有集體“翻車”的趨勢。

從實測資料來看，驍龍888的單核功耗是3。3瓦，比驍龍865高出43。5%。

驍龍888的多核功耗是7。8瓦瓦，比驍龍865高出32。2%。

能耗變高，手機內部空間小，不容易散熱，處理器降頻，效能大打折扣。

作為對比，驍龍865的表現就很優秀，比驍龍855效能強，單核、多核能耗還有所降低。

由此可見，驍龍888是在“開倒車”。

當然，在蘋果iPhone 12和華為Mate40 Pro身上，執行大型遊戲時，也會出現機身過熱的情況。

我們知道，每一代晶片的效能都會提升，能耗也會相應增加，不過能耗和效能之間會有一個平衡。

這一代5奈米晶片集體“過熱”，問題出在哪裡了呢？

i奇趣兒認為，這要從晶片的摩爾定律說起。

半導體行業的隱憂是“摩爾定律”即將失效，積體電路的電晶體不可能一直無限增長。3nm是已經被公認為摩爾定律的物理極限。

半導體廠商在攻克3nm工藝時，確實遇到了問題，臺積電最快也要到2022年下半年才能量產。

不過，眼下的5nm工藝，已經出現“瑕疵”。

問題癥結很明顯，工藝製程越先進，晶片上的電晶體密度越高，晶片越複雜，漏電功耗就越大。

在微米級別時，晶片的功耗主要來自於電晶體電路之間的動態功耗。

現在的手機，用的都是奈米級別晶片，數以億計的電晶體會漏電，產生電量損耗（靜態功耗）。並且這種電量損耗遠大於正常的動態功耗。難點在於，這種情況很難控制。

最先進的半導體廠商，也是毫無辦法，臺積電曾被戲稱為“臺漏電”。

短時間內，這個問題沒法解決，這是5奈米晶片集體“翻車”的根本原因。

不錯，從晶片廠商的動作來看，高通、華為準備了後手。

比如，海思麒麟9000e，雖然也是5nm工藝製程，但是助力器的核心減少，能耗平衡性相當出色，成為表現最好的5nm晶片。

高通上代晶片驍龍865表現不錯，仍有很多在售機型，也會有不錯的出貨量。

同時，高通還將推出驍龍870，以驍龍865為基礎，增強了效能，價格比驍龍888便宜，也會成為爆款。

目前來看，蘋果iPhone只有一顆5nm晶片，該怎麼辦呢？

首先，蘋果可以從系統最佳化方面入手，來改善手機的能耗表現。這個方法適用於所有使用了5nm晶片的手機廠商。

下一代3nm晶片有可能解決這個問題，不過，落地量產要到2022年。2021年新iPhone顯然也趕不上了。要想解決問題，最直接最根本的辦法就是，臺積電改良A14。

當然，為了穩住銷量，蘋果也可能會推出新機，iPhone SE3的訊息已經出來了。

去年的第二代iPhone SE表現很不錯。

今年的iPhone SE3可以用A13，穩定性更強，還能保證銷量。

各位小夥伴，針對5nm晶片的實際表現，你有什麼看法呢？