IT之家 9 月 28 日訊息，ASML 首席技術官 Martin van den Brink 日前接受 Bits & Chips 的採訪時表示，目前公司正有序推行其路線圖，在 EUV 之後是 High-NA EUV 技術。ASML 正在準備向客戶交付首臺 High-NA EUV 光刻機，大概會在明年某個時間點完成，Martin 相信這個目標會實現，儘管供應鏈問題仍然可能會擾亂這一計劃。

IT之家瞭解到，NA （NumericalAperture） 被稱作數值孔徑，是光學鏡頭的一個重要指標，一般光刻機裝置都會明確標註該指標的數值。在光源波長不變的情況下，

NA 的大小直接決定和光刻機的實際解析度，也等於決定了光刻機能夠達到的最高的工藝節點

。High-NA EUV 是下一代光刻裝置，與現有的 EUV 光刻裝置相比，可以雕刻出更精細的電路，其被認為是一個改變遊戲規則的裝置，將決定 3 奈米以下代工市場技術競賽的贏家。

Van den Brink 說，到目前為止，開發高 High-NA 技術的最大挑戰是為 EUV 光學器件構建計量工具。High-NA 鏡的尺寸是其前身的兩倍，需要在 20 皮米範圍內保持平整。這需要在一個大到“可以容納半個公司”的真空容器中進行驗證，該容器位於蔡司公司。

High-NA EUV 光刻機會比現有的 EUV 光刻機更為耗電，從 1。5 兆瓦增加到 2 兆瓦。主要原因是因為光源，High-NA 使用了相同的光源需要額外 0。5 兆瓦，ASML 還使用水冷銅線為其供電。

至於 High-NA EUV 技術之後的技術方案，Martin 表示，ASML 正在研究降低波長，但他個人不認為 Hyper-NA 是可行的，他們正在對其進行研究，但這並不意味著它將投入生產。

Martin 懷疑 High-NA 將是最後一個 NA，當前半導體光刻技術之路或已走到盡頭。

High-NA EUV 系統將提供 0。55 數值孔徑，與此前配備 0。33 數值孔徑透鏡的 EUV 系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。到了 Hyper-NA 系統，會高於 0。7，甚至達到 0。75，理論上是可以做到的。從技術方面來講，也可以做到。但如果 hyper-NA 的成本像 High-NA 那樣快速增長，那麼它在經濟上將幾乎是不可行的。因此，Hyper-NA 研究專案的主要目標是提出聰明的解決方案，使該技術在成本和可製造性方面保持可控。