ASML首席技術官:明年將向客戶交付首臺High-NA EUV光刻機
至於 High-NA EUV 技術之後的技術方案,Martin 表示,ASML 正在研究降低波長,但他個人不認為 Hyper-NA 是可行的,他們正在對其進行研究,但這並不意味著它將投入生產...
至於 High-NA EUV 技術之後的技術方案,Martin 表示,ASML 正在研究降低波長,但他個人不認為 Hyper-NA 是可行的,他們正在對其進行研究,但這並不意味著它將投入生產...
據介紹,NXE:3600E 將在像差、重疊和吞吐量方面進行漸進式光學改進,而在0.33 NA的EUV光刻機領域,ASML路線圖包括到2025年左右推出吞吐量約為220wph的NXE:4000F...
在光刻機領域內,技術最先進的廠商是ASML,資料顯示,ASML的光刻機佔領了中高階市場,尤其是EUV光刻機,更是生產製造7nm以下晶片的必要裝置...
舉一個簡單的例子,光刻機就是一個“水桶”,ASML在掌握製造技術之後,發現使用的零件主要是:光源、鏡頭和鐳射,技術一定程度上會進入到“平衡期”各國都相差不大,所以荷蘭對零件進行了壟斷...
4個好訊息相繼傳來首先,第一個好訊息是ASML向我們國內表明了友好的態度,希望與國產晶片公司一起進步,未來還會加快在中國市場的佈局...
再加上,臺積電又給ASML提供了大量的晶片製造技術,所以ASML總是優先給臺積電提供先進光刻機等裝置,七成以上EUV光刻機都出貨了給臺積電...
製造晶片就需要光刻機,ASML就是光刻機制造者當中的佼佼者,美國等西方國家刻意阻止ASML與中國交易,不願意中國獲取相關技術...
第二代EUV光刻機將會是NXE:5000系列,物鏡NA提升到0.55,進一步提高光刻精度,但原計劃2023年問世,現在推遲到2025-2026年,而價格預計將突破3億美元...
我國如果想要製造高精度的晶片,就必須要向ASML公司進口高精度的光刻機,但因為1996年西方國家所簽署的《瓦森納協定》,導致ASML無法向我國出口高精度光刻機...
事實也的確如此,我國為了實現晶片國產化,在決定自主研發EUV光刻裝置之時,ASML首席官Peter就公開潑來冷水,表示:即便給中國圖紙,他們也無法造出價值1...
而其也指出,在過去一年內,我們半導體裝置市場已經達到了全球之最,而這一點或許就是ASML所在乎的吧,所以才有了ASML執行官所講的,國內或許在未來3年內實現光刻機的突破...
事情原委是這樣的,2018年4月,中芯國際向ASML訂購了一臺EUV,雙方說好,要在2019年的年初交貨的,那時候,荷蘭官方也表示同意,於是向ASML發放了EUV出口許可證...