5月13日訊息，此前外界有傳言稱，三星3nm製程工藝遭遇難題，良品率僅有20%~30%，可能會拖延量產的程序。今天，電子時報最新報道顯示，三

星3nm製程的良品率問題已得到解決，將按照計劃在第二季度開始量產。

三星在一季度的電話會議上就曾向股東們承諾，3nm製程會按照計劃進行，以此來消除股東們對網上傳言產生的疑慮和擔憂。三星表示，

目前5nm製程已進入批次生產的成熟階段，4nm製程產能也在逐步改善。公司內部還在改善3nm製程的節點開發體系，每個開發階段都有一個驗證流程，這有助於縮短產能爬坡期。

3nm製程是臺積電與三星都在激烈競爭的一個新節點，也將帶給半導體晶片行業又一次效能上的飛躍。目前，臺積電的3nm製程依舊使用FinFET電晶體技術，而三星則相對激進一些，全球首發更加先進的GAA電晶體技術，希望以此來追趕甚至超越臺積電。

三星介紹稱，GAA是一種新型環繞柵極電晶體，可顯著增強電晶體的效能。與7nm製程相比，3nm GAA製程的邏輯面積效率提高45%，功耗降低50%，效能提高約35%，紙面資料是要強於臺積電3nm FinFET工藝。

如果三星3nm GAA工藝的表現能達到理想水平，功耗、產能問題都能得到妥善解決，那真的有機會一舉追上臺積電。

在晶片代工市場，三星和臺積電已經是多年的老對手了。一直以來，臺積電都領先三星一頭，特別是在7nm、5nm等先進工藝時代，臺積電的優勢更為明顯，幾乎壟斷了全球先進工藝的產能，高通、AMD、聯發科等都與臺積電達成合作，蘋果更是成為臺積電的最大客戶。按照計劃，臺積電3nm工藝會在今年第四季度量產，而英特爾可能會拿下首發。

由於7nm、5nm工藝上的失利，三星決定押寶更先進的3nm GAA製程工藝。不僅比臺積電更早進行技術研發，連量產日期也比臺積電早半年左右。前陣子有訊息稱，高通、AMD等品牌已經與三星達成合作，很可能會首發3nm製程工藝。希望三星這次能帶給大家更多驚喜，在3nm製程上一鳴驚人吧。