IT之家 12 月 22 日訊息，據 DIGITIMES 報道，儘管 2022 年消費電子終端市場充斥庫存調整等不確定性，但電力電子半導體需求在未來車、伺服器領域的應用卻是愈來愈廣，

持續推動第三類半導體如碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等功率元件需求

。

IDM 龍頭包括羅姆（Rohm）、安森美（Onsemi）、英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM）、Wolfspeed 等，將把化合物半導體戰線從主流的 6 英寸拉往 8 英寸晶圓廠，追求成本、產能、效能的新一波戰火正逐漸醞釀中。

近日各大 IDM 業者化合物半導體陸續打入車用、伺服器衝電領域。如羅姆第四代 SiC MOSFET 與閘極驅動 IC，正式打入日本車用供應鏈如日立安斯泰莫，應用於電動車（EV）逆變器。

事實上，羅姆 2010 年開始就已量產 SiC MOSFET，相較於主流的矽基 IGBT，電耗可減少 6%，有助於 EV 續行里程。

相關業者表示，車用功率半導體目前仍是相對供需吃緊的部分，也使得臺系二極體廠無不積極提升車用、工控產品比重。臺系功率元件業者包括強茂、臺半、德微等。

業者表示，

E 寬能隙（WBG）的第三類半導體因為高功率密度特性，有助於建構更高效能、體積更小更輕的 EV 電動動力總成系統，SiC 最主要的應用範疇，就在核心的車用逆變器

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IT之家瞭解到，至於 GaN 充電元件更可從成熟的矽基製程出發，矽基氮化鎵（GaN-on-Si）將是最有機會快速放大到 8 英寸甚至 12 英寸的技術，除 IDM 龍頭大舉進軍外，臺系晶圓代工廠世界先進 GaN-on-QST 技術也已逐步完備。

IC 代理業者表示，公有云、私有云快速成長，以及資料中心大量的建設，對伺服器電源效能有更高需求，具有高功率密度的 GaN 元件成為伺服器電源首選方案之一。

如安森美攜手 IC 代理龍頭大聯大推出 500W 伺服器電源方案，其中就是採用 GaN 元件。

上游磊晶片大廠 IQE 8 英寸化合物半導體磊晶片已經量產，後續不排除更往 12 英寸推進，IQECEOAmerico Lemos 認為，「化合物半導體將從利基走向主流」。

GaN、SiC 同步往 8 英寸推進已經是未來趨勢，在各界關注的 8 英寸廠佈局，羅姆、Wolfspeed、II-VI，意法等都積極進行中。值得一提的是，觀察供應鏈與終端系統廠看法，各界通常都還是會問及「價格策略」，何時能夠達到與矽基半導體同等的價效比。