IDM 化合物半導體戰線擴大,正轉向 8 英寸晶圓廠
《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵電晶體在電力電子中的應用
略七、結論近年來出現了大帶隙半導體,例如SiC,尤其是 GaN,作為可能的替代品Si 器件使電力電子裝置可以不斷超越限制並提高靜態轉換器的效能...
揭秘GaN射頻技術的最新現狀
【智慧公會】65w快充+雙介面,航嘉65w gan快充器讓你不再便攜!
航嘉這款這款65W GaN快速充電器,外觀設計簡潔大方,外形小巧便於攜帶,擁有“1A1C”雙口配置,可以同時為兩個裝置充電...
【創投行聚焦】化合物半導體材料:三高時代來臨,三高並存
大陸第三代半導體SiC產業鏈分佈圖:氮化鎵(GaN)是未來最具增長潛質的化合物半導體,與GaAs和InP等高頻工藝相比,氮化鎵器件輸出的功率更大...