過去幾年來，作為一種新興射頻技術，氮化鎵（GaN）一直廣受關注，但採用矽研發出的射頻半導體同樣也取得長足進步，該射頻半導體又稱作射頻覆矽絕緣體（RF-SOI），是能夠引爆射頻硬體市場的一項半導體技術。

（一）RF-SOI的基礎知識

GaN目前仍然是一種相對昂貴且採用小尺寸晶圓的技術，而RF-SOI技術與主流矽製造工藝基本相容。因此，RF-SOI得益於其高容量特性，容易推動大尺寸晶圓矽工藝技術的發展。由此產生RF-SOI技術，雖然該技術未能表現出RF GaN半導體裝置所具有的極高功率和頻率特性，但在消費電子和汽車無線電子領域中的運用越來越普遍。消費類無線電子產品的應用越來越廣泛，如智慧手機、Wi-Fi路由器、藍芽晶片、汽車雷達，以及其它網路相關（IoT）射頻硬體。RF-SOI半導體主要用於射頻前端（RFFE）模組、開關、天線調諧器、過濾器、變抗器/二極體，以及無源電子元器件（電阻器、電感器、電容器和傳輸線）。

（二）SOI技術

RF-SOI技術的最新發展已催生出帶有增強訊號完整性特徵的SOI技術，這些技術適用於LTE-Advanced和5G中頻（約1GHz至7。25GHz）產品。也有效能較低的RF-SOI製造工藝產品，並且這些產品更適合價格敏感類技術應用，如2G、3G、低資料吞吐量的2。5GHzWiFi，以及更低資料吞吐量/功率的IoT技術應用。

系統級封裝（SiP）技術採用不同的矽智慧財產權（IP）模組構建而成，這種構建技術又稱作異構整合技術（HIT），採用SiP技術也導致在射頻技術應用中增加矽的使用量。採用這種技術，可將高度整合的矽片透過矽工藝進行整合，更加適用於同一封裝內的射頻技術應用，既降低了成本、尺寸，還支援功能更加全面的SiP解決方案。

另一種矽解決方案採用系統級晶片（SoC）技術，這種技術在射頻技術運用中越來越廣泛，該技術透過將多個IP模組組裝成單個複雜晶片，與SiP技術相比更進一步。由於具有技術複雜性且涉及非常嚴格的公差標準，SoC技術的製造工藝通常費用更加昂貴，但卻可以製造出具有廣泛適用特性的高效能SoC晶片。

系統級晶片（SoC）和SiP技術所具備的技術優勢甚至已經引起了美國國防高階研究計劃局（DARPA）的關注，該機構試圖將矽IP技術標準化，應用於SoC和SiP技術、通用異構整合和智慧財產權重複使用策略（CHIPS）方案。為應對電信市場的快速發展，並且半導體產業正朝著電子技術領域（數字、模擬和功率）增強型整合方向發展，該方案旨在“IP重複使用中建立一種新的範例”。

還有兩種技術可能會推動矽半導體技術向毫米波技術發展。即3D直通矽晶穿孔（TSV）技術和整合電磁干擾（EMI）遮蔽技術。3D TSV技術採用極小尺寸部件將晶圓級疊層器件相連，並且表現出良好的電子特性。同其他互連技術策略相比，採用3D TSV技術的SoC晶片，或其他更高密度的電晶體整合技術，其生產製造成本更低。與此類似，整合EMI遮蔽技術可實現更高效能的SoC晶片和SiP晶片，這兩類晶片受到外部干擾的影響更小，並且產生的干擾更少（這種干擾可能對附近子部件和電路產生影響）。