近日，SK海力士在官網宣佈，適用第四代10奈米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM（動態隨機儲存器）產品已於7月初開始量產。

自從10奈米級DRAM產品開始，半導體業內將每一代工藝節點都以標註英文字母的方式起名，此次SK海力士量產的1a奈米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之後的第四代工藝節點。公司預計從下半年開始向智慧手機廠商供應適用1a奈米級技術的移動端DRAM。

工藝的極度細微化趨勢使半導體廠商陸續匯入EUV裝置，並將其投入在晶圓上繪製電路的光刻工藝當中。業界認為採用EUV技術的水平將成為今後決定技術領導地位的重要因素。SK海力士透過此次量產確保了EUV工藝技術的穩定性，並表示未來的1a奈米級 DRAM都將採用EUV工藝進行生產。

SK海力士期待透過新產品生產效率的提升得以確保更高的成本競爭力。相較前一代1z奈米級工藝的同樣規格產品，1a奈米級DRAM在每一張晶圓中可產出的產品數量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續增長的背景下，公司期待1a奈米級DRAM在全球儲存半導體供需中扮演重要角色。

此次新產品穩定支援 LPDDR4 移動端DRAM規格的最高速度（4266Mbps），並相較前一代產品其功耗也降低了約20%。 SK海力士認為此次新產品進一步強化了低功耗的優勢，助力碳排放量的減少，充分體現了SK海力士注重ESG（環境、社會、公司治理）經營的精神理念。

據瞭解，這是SK海力士首次採用EUV技術進行量產的DRAM。SK海力士計劃從明年初開始將1a奈米級工藝匯入於去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

Strategy Analytics 機構研究報告顯示，2021 年第一季度，全球智慧手機儲存晶片市場總銷售額達到 114 億美元，同比增長 21%。其中，三星佔據 49% 的市場份額，排名第一；SK 海力士、美光緊隨其後。