隨著半導體工藝進入7nm以內，EUV光刻機是必不可少的關鍵裝置，全球只有ASML公司能生產，現在NA 0。33孔徑的EUV光刻機售價高達1。5億美元，約合10億一臺，不過下一代會更貴。

光刻機制造晶片的關鍵指標就是光刻解析度，其中鏡頭的NA數值孔徑越大越好，現在NA 0。33孔徑的EUV光刻機能夠量產3nm、2nm工藝，再往後就需要NA 0。55孔徑的下一代光刻機，也就是High NA EUV，製造2nm以下的工藝必需。

High NA EUV預計在明年開始出樣機給客戶，這一次Intel先下手為強，搶購了首批的High NA EUV光刻機，據說單價超過3。4億美元，約合25億了。

但High NA EUV的最終價格還不確定，未來可能達到4億美元，超過28億人民幣了。

High NA EUV光刻機不僅是本身昂貴，使用成本也越來越高，因為功耗還會繼續漲，ASML最近證實High NA EUV光刻機會額外消耗0。5WM功耗，加上目前的1。5MW功耗，下一代光刻機的總功耗將達到2MW，也就是200萬瓦的水平。

如果一天24小時運轉，那麼下代光刻機每天就要消耗4。8萬度電，這個成本對晶片製造企業來說是非常高的，絕對的電老虎。