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2023-01-25肖克利貝克曼貝爾實驗室電晶體半導體

待到貝克曼從貝爾實驗室購買完畢電晶體相關的專利授權，肖克利從他的老東家獲得了單晶矽之後，這個半導體實驗室終於可以著手研製電晶體...

2022-12-27intel電晶體單晶片摩爾定律2D

IEDM 2022 IEEE國際電子器件會議上，Intel公佈了多項新的技術突破，將繼續貫徹已經誕生75年的摩爾定律，目標是在2030年做到單晶片整合1萬億個電晶體，是目前的10倍...

2022-09-02臺積N2FIN電晶體N3

臺積電首先介紹了 N3 的 FINFLEX，包括具有以下特性的 3-2 FIN、2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：3-2 FIN – 最快的時鐘頻率和最高的效能滿足最苛刻的計算需求2-2 FIN – Efficient Perfor...

2022-08-04驍龍晶片8155座艙電晶體

高通從5nm開始並行開發座艙晶片和智慧駕駛晶片，雖然集度智慧駕駛晶片用了英偉達家的Orin X，沒搭上驍龍的車...

2022-06-19臺積N22FIN電晶體N3

臺積電在研討會上首先介紹了N3的FINFLEX，其中包括3-2FIN、2-2FIN和2-1FIN配置：3-2FIN：最快的時鐘頻率和最高的效能滿足最苛刻的計算需求2-2FIN：Efficient Performance，效能、功率效率和密度...

2022-04-01IGBT半導體電晶體MOSFET功率

IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，透過這兩者的複合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時也是兼顧低飽和電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的電晶體...

2022-03-17電晶體柵極奈米柵長尺寸

近日，清華大學積體電路學院任天令教授團隊在小尺寸電晶體研究方面取得重要進展，首次實現了具有亞1奈米柵極長度的電晶體，並具有良好的電學效能...

2022-03-12晶片處理器電晶體英特爾8088

如圖2所示，該公司使用其3微米技術製造了這個包含29000個電晶體的晶片...

2021-08-02三星晶片3nmGAA電晶體

在邁向3nm工藝的道路上，臺積電依舊利用現有成熟的FinFET電晶體技術，而三星方面則押寶下一代工藝技術—— GAA 環繞柵極電晶體，透過使用奈米片裝置製造出了 MBCFET （ Multi-Bridge-Channel FET ，多橋 -...

2021-08-01電晶體半導體晶片真空管英特爾

圖片來源：通用微電子公司 （GMe）/計算機歷史博物館我們今天所知的微處理器的另一個關鍵成分——也是英特爾第一款微處理器的關鍵要素——是金氧半導體電晶體配方...

2021-07-25肖克利電晶體半導體積體電路發明

六、瓊·赫爾尼（奠定了矽作為電子產業中關鍵材料地位）赫爾尼（Jean Hoerni，1924年9月26日——1997年1月12日）是矽電晶體先驅，他發明的平面工藝為羅伯特·諾伊斯開創現代積體電路奠定了基礎...

2021-07-15GaN轉換器si電晶體氮化

略七、結論近年來出現了大帶隙半導體，例如SiC，尤其是 GaN，作為可能的替代品Si 器件使電力電子裝置可以不斷超越限制並提高靜態轉換器的效能...

2021-07-02溝道器件電晶體範德華微縮

湖南大學物理與微電子科學學院（以下簡稱“物電院”）劉淵教授團隊，透過使用範德華金屬整合的方法，實現了超短溝道的垂直場效應電晶體，為半導體器件效能的進一步提升提供了全新的思路...

2021-04-22晶片Cerebras電晶體晶圓核心

在 2019 年推出的 CS-1 晶片中，Cerebras 融入了 40 萬個核心和 12 億個電晶體，採用的是 16 奈米工藝進行製造...

2021-04-15需要電晶體電路圖工序非常

在之前電晶體使用都需要用手動模式將一個一個的原件進行連線起來...