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2023-01-13氧化半導體材料氮化器件

新湖中寶參股公司富加鎵業專注於寬禁帶半導體氧化鎵材料的研發，已經初步建立了氧化鎵單晶材料設計、熱場模擬模擬、單晶生長、晶圓加工等全鏈路研發能力，推出2寸及以下規格的氧化鎵UID（非故意摻雜）、導電型及絕緣型產品...

2022-12-31氮化晶通半導體功率器件

如 650V電壓系列的產品，晶通半導體會推出不同電流等級氮化鎵器件搭配相應的驅動產品，覆蓋工業電源、伺服器電源，再到新能源汽車等不同應用...

2022-11-21SiCMOSFET器件15V驅動

目前，清純半導體已突破國產SiC功率器件設計及大規模製造的瓶頸，開發出了具有自主智慧財產權的SiC二極體及Mosfet器件產品，成為目前國內唯一一家能夠在SiC器件核心效能和可靠性上達到國際一流水平、且實現基於國內產線量產SiC Mosfe...

2022-09-25SiC半導體11碳化矽器件

捷捷微電與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發的以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，目前有少量碳化矽器件的封測...

2022-09-09Ti逆變器光伏功率器件

比如TI推出的具有整合驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET，不僅可以提高整體轉換效率，降低系統成本，還可以實現更小、更輕及更可靠的逆變器...

2022-07-19大富射頻凡谷2021器件

截止4月底，行動通訊射頻器件領域兩大上市公司，武漢凡谷和大富科技釋出了2021年年報...

2022-07-18MOSFET功率器件資料高壓

2020年中國MOSFET市場結構佔比情況資料來源：Odiam，華經產業研究院整理五、MOSFET競爭格局功率二極體、功率三極體、閘流體等分立器件產品大部分已實現國產化，而功率MOSFET特別是超級結MOSFET、IGBT等高階分立器件產品...

2022-05-30氮化器件功率未來產品

”目前，鎵未來已啟動下一代中大功率器件平臺的研發，計劃實現國內中大功率氮化鎵功率器件產品價效比新的突破...

2022-04-07李永明科研大功率崑山器件

”李永明說，做科研在外行人看來可能會枯燥繁瑣，但每個真正熱愛它的人都樂在其中...

2021-07-19器件碳化矽SiC功率

下游碳化矽器件市場還是以國外傳統的功率龍頭公司為主，2017年全球市場份額佔比前三的是科銳，羅姆和意法半導體，目前國內的企業均處於初創期或者剛剛介入SIC器件領域...

2021-07-02溝道器件電晶體範德華微縮

湖南大學物理與微電子科學學院（以下簡稱“物電院”）劉淵教授團隊，透過使用範德華金屬整合的方法，實現了超短溝道的垂直場效應電晶體，為半導體器件效能的進一步提升提供了全新的思路...

2021-06-26SiC三安器件功率蔚來

華爾街見聞從知情人士處獲悉，蔚來這套電驅系統中的SiC功率器件，有部分來自三安光電...

2021-06-11氮化器件充電器快充半導體

值得一提的是，美思迪賽半導體推出的氮化鎵快充控制器相比於安森美NCP1342而言擁有更高的整合度，除了控制器外還集成了柵極驅動電路，從而實現單顆IC即可直接驅動GaN器件，簡化外圍電路...

2021-04-20半導體SiCGaAsGaN器件

大陸第三代半導體SiC產業鏈分佈圖：氮化鎵（GaN）是未來最具增長潛質的化合物半導體，與GaAs和InP等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大...