科技DCDC轉換器PCB佈局,第3部分2022-12-27柵極PCB電感電流MOSFET步驟5:路由MOSFET門驅動器,電流感應,反饋和其他關鍵痕跡瞭解柵極迴路和共源寄生電感MOSFET開關行為以及波形振響、開關損耗、器件應力和EMI的後果與器件封裝和PCB佈局連線引起的開關回路和閘電路的寄生電感密切相關[2,3]...
科技清純半導體推出首款國產15V驅動SiC Mosfet,已透過車規級測試2022-11-21SiCMOSFET器件15V驅動目前,清純半導體已突破國產SiC功率器件設計及大規模製造的瓶頸,開發出了具有自主智慧財產權的SiC二極體及Mosfet器件產品,成為目前國內唯一一家能夠在SiC器件核心效能和可靠性上達到國際一流水平、且實現基於國內產線量產SiC Mosfe...
歷史乾貨!一文看懂MOSFET行業發展現狀:SIC襯底滲透有望提升2022-07-18MOSFET功率器件資料高壓2020年中國MOSFET市場結構佔比情況資料來源:Odiam,華經產業研究院整理五、MOSFET競爭格局功率二極體、功率三極體、閘流體等分立器件產品大部分已實現國產化,而功率MOSFET特別是超級結MOSFET、IGBT等高階分立器件產品...
科技電子小百科2022-04-01IGBT半導體電晶體MOSFET功率IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件,透過這兩者的複合化,既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件,同時也是兼顧低飽和電壓(與功率MOSFET的低導通電阻相當)和較快的開關特性的電晶體...