實業奔騰•科創新力量丨晶通半導體:從科研創新到智慧氮化鎵功率...
如 650V電壓系列的產品,晶通半導體會推出不同電流等級氮化鎵器件搭配相應的驅動產品,覆蓋工業電源、伺服器電源,再到新能源汽車等不同應用...
清純半導體推出首款國產15V驅動SiC Mosfet,已透過車規級測試
「盤中寶」第三代半導體發展的基石,國際半導體巨頭紛紛加碼這一...
捷捷微電與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發的以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件,目前有少量碳化矽器件的封測...
TI芯科技賦能中國新基建之解鎖光伏創新
比如TI推出的具有整合驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET,不僅可以提高整體轉換效率,降低系統成本,還可以實現更小、更輕及更可靠的逆變器...
射頻器件雙雄業績解析:不同的選擇,不同的命運
乾貨!一文看懂MOSFET行業發展現狀:SIC襯底滲透有望提升
36氪首發 | 「鎵未來」完成近億元A+融資,加速突破中大功率應用場景
在“真空”地帶以科研報國
第三代半導體材料:10年成長20倍,行業爆發前夜
下游碳化矽器件市場還是以國外傳統的功率龍頭公司為主,2017年全球市場份額佔比前三的是科銳,羅姆和意法半導體,目前國內的企業均處於初創期或者剛剛介入SIC器件領域...
晶片效能大突破!研究生一作發Nature
湖南大學物理與微電子科學學院(以下簡稱“物電院”)劉淵教授團隊,透過使用範德華金屬整合的方法,實現了超短溝道的垂直場效應電晶體,為半導體器件效能的進一步提升提供了全新的思路...
蔚來:悄然潛入碳化矽技術應用牌局|聚焦
氮化鎵快充市場爆發,這三家控制晶片原廠成最大贏家
值得一提的是,美思迪賽半導體推出的氮化鎵快充控制器相比於安森美NCP1342而言擁有更高的整合度,除了控制器外還集成了柵極驅動電路,從而實現單顆IC即可直接驅動GaN器件,簡化外圍電路...
【創投行聚焦】化合物半導體材料:三高時代來臨,三高並存
大陸第三代半導體SiC產業鏈分佈圖:氮化鎵(GaN)是未來最具增長潛質的化合物半導體,與GaAs和InP等高頻工藝相比,氮化鎵器件輸出的功率更大...