IT之家 11 月 4 日訊息，BusinessKorea 報道稱，美光科技最近已將其基於第 5 代 10 奈米 （1b 或 12 奈米至 13 奈米） 工藝的低功耗雙資料速率 5X （LPDDR5X） 樣品送交給各大智慧手機制造商。

美光沒有透露新品的具體規格，但表示與上一個版本相比，新品的能效提高了 15%，單個區域儲存的位元位數提高了 35%。

IT之家曾報道，目前三星電子、SK 海力士、美光三大廠商佔據了全球 DRAM 市場的 90% 以上份額。據市場調查企業 Omdia 透露，三星電子第二季度的市場佔有率為 43。3% 位居第一，SK 海力士 （28。1%） 和美光 （23。6%） 緊隨其後。

去年 1 月，美光在三星電子之前開始量產第 4 代 1a DRAM 晶片，它在 2020 年底宣佈推出了業界首款 176 層 NAND 快閃記憶體，當時三星電子和 SK 海力士還在專注於 128 層 NAND 快閃記憶體。

美光 5 月份宣佈，將在 2022 年開始大規模生產 1b DRAM 晶片。考慮到三星電子和 SK 海力士計劃在明年年初批次生產 1b DRAM 產品，美光極有可能因此成為首個量產 1b DRAM 的公司。

值得一提的是，三星電子和 SK 海力士將 EUV 光刻技術應用於 1a DRAM 產品，但美光將繼續使用氟化氬鐳射技術生產 1b DRAM，該公司計劃從第 6 代 10 奈米晶片才會開始應用 EUV 工藝。